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北京氟化鈣光學鍍膜材料生產廠家

氧化鎂的熔點高，不易揮發(fā)。殘留在生長系統(tǒng)中的氧化鎂將減少晶體過濾，并導致缺陷，例如晶體內部的散射顆粒。因此，在整個晶體生長過程中必須避免氧氣和水蒸氣。有必要在氟化鎂原料中加入質量百分比的除氧劑，不僅可以有效去除原料和結晶爐中的水分，還可以對原料進行進一步的氟化處理，避免水解或氧化。氟化鎂晶體材料

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與氟化鎂多晶相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透過率，此外單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有很高的機械強度，以及抗熱沖擊強、不易沿晶界開裂等優(yōu)點。氟化鎂在高溫時易發(fā)生氧化或水解反應，生成氧化鎂雜質，氧化鎂熔點較高，不易揮發(fā)

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氟化鋇一般有兩種形態(tài)，一種是無色透明的立方結晶體，還有一種是白色粉末狀。能夠溶于鹽酸、硝酸以及乙醇等有機溶劑，微溶于水。熔點為1368℃，沸點為2260℃。今天咱們就來說說氟化鋇進行儲存的方法都有哪些。

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將氟化鎂粉料與高純PbF2粉料均勻混合，裝入鉗堝，把鉗堝放在坩堝座上，裝好加熱體，調整坩堝底部，使其位于高溫區(qū)，再裝好保溫罩，封好爐子抽真空。待真空度達到10-4乇時，以500w功率加熱，烘料1.5-2h，然后以1000W/15min速率緩慢升溫。