開原氟化鎂光學(xué)鍍膜材料生產(chǎn)廠家
發(fā)布時間：2024-08-25 01:12:29
開原氟化鎂光學(xué)鍍膜材料生產(chǎn)廠家
在市場競爭日益激烈的情況下，鋁工業(yè)需要尋找新的發(fā)展思路，規(guī)避風(fēng)險，才能長期發(fā)展。作為一種高科技、高附加值的純鋁符合這一要求，許多鋁廠都把高純度鋁項目提上了日程。與傳統(tǒng)的一次加工鋁錠相比，生產(chǎn)高純氟化鋁具有更高的產(chǎn)品附加值和利潤空間。高純氟化鋁是指鋁含量≥99.999% (5N)的鋁。
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待功率達到6700W時，恒溫45min，再降到6400W恒溫45min。此時真空度一般達到10-5乇，然后以4mm/h的速度下降坩堝，進行生長。坩堝停降后，以150W/15min的速率降溫，直至室溫，然后取出氟化鎂晶體。
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產(chǎn)品應(yīng)用-在鍍膜工藝中，二氧化硅常作為金屬或者其他材料的表面抗刮和保護層，鍍制保護膜。-二氧化硅也可用于光纖端頭的鍍膜使用，在高真空環(huán)境中，通過膜系設(shè)計，與高折射材料例Ta2O5，相互配合鍍膜于光纖端頭，從而達到提升光纖的透過或高反的目的。
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類型分類目前市面上二氧化硅主要是按照形狀不同分為：二氧化硅晶體顆粒，二氧化硅晶體柱狀顆粒和二氧化硅晶體切片規(guī)格介紹- 二氧化硅晶體顆粒常規(guī)尺寸為： 1-3mm，3-5mm- 二氧化硅晶體柱狀顆粒常規(guī)尺寸為：2*4mm-二氧化硅晶體切片常規(guī)尺寸為：20*10mm二氧化硅純度一般為99.9%和99.99%
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氟化鎂的蒸汽壓較高，原料在提拉法生長的敝開體系中易揮發(fā)，因此晶體生長過程需在正壓條件下進行。首先將晶體生長爐內(nèi)抽至真空，然后充入高純氬氣至微正壓，待氣體均勻后將氬氣抽出，從而將爐內(nèi)的水分和氧氣等雜質(zhì)排除。該過程重復(fù)進行，直到晶體爐內(nèi)達到真空狀態(tài)，開始升溫至氟化鎂燒結(jié)料熔化。