奉賢氟化鈣光學(xué)鍍膜材料批發(fā)價格
發(fā)布時間：2024-09-02 01:11:05
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氟化鎂晶體在生長過程中加入一定量的除氧劑，以防止氧或羥基進入晶體中。將處理后的晶體料裝入石墨坩堝并抽真空，真空度應(yīng)達到10^(-4)Pa以上，按程序進行升溫并保溫使原料充分熔化。采用電阻加熱提拉法生長出光學(xué)均勻性和質(zhì)量一致性好的氟化鈣單晶。
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在高能物理實驗中,對光子的探測占有相當(dāng)重要的地位.對光子的探測主要是通過測量它在物質(zhì)中產(chǎn)生的電磁簇射來實現(xiàn)的.隨著高能加速器能量的不斷提高,所研究的光子能量也越來越高,這就要求探測器所用的材料既要有高的阻止能力,又要有較好的時間分辨,能量分辨和抗輻照的能力.
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氟化鋁的操作注意事項為：密閉操作，局部排風(fēng)。操作人員必須經(jīng)過專門培訓(xùn)，嚴格遵守操作規(guī)程。建議操作人員佩戴自吸過濾式防塵口罩，戴化學(xué)安全防護眼鏡，穿透氣型防毒服，戴乳膠手套。避免產(chǎn)品粉塵。避免與酸類接觸。
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待功率達到6700W時，恒溫45min，再降到6400W恒溫45min。此時真空度一般達到10-5乇，然后以4mm/h的速度下降坩堝，進行生長。坩堝停降后，以150W/15min的速率降溫，直至室溫，然后取出氟化鎂晶體。
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將高純的氟化鈣顆粒料置于石墨坩堝內(nèi)，抽真空度至10^-4Pa，通入一定量的高純CF4氣體，加熱使其熔化，恒溫一段時間，然后以較快速率降溫，將結(jié)晶的晶塊去除，去除表面雜質(zhì)，然后將塊狀晶料用于晶體生長。氟化鎂晶體生長工藝對晶體質(zhì)量有重大影響，通過工藝（拉速、轉(zhuǎn)速）優(yōu)化
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氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。