嘉定二氧化硅光學(xué)鍍膜材料廠家供應(yīng)
發(fā)布時間：2024-09-15 01:10:18
嘉定二氧化硅光學(xué)鍍膜材料廠家供應(yīng)
氟化物是當(dāng)今重要污染物,現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)過程排放了大量氟污染物．由于其巨大危害性,氟污染和回收利用問題受到人們越來越多關(guān)注．本文主要對氟化物危害,我國環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)對氟化物要求,氟化物來源以及氟化物遷移轉(zhuǎn)化過程等進(jìn)行了簡要介紹,同時介紹了電解鋁廠中產(chǎn)生氟化物污染控制技術(shù)．
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氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。
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與氟化鎂多晶相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透過率，此外單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有很高的機(jī)械強(qiáng)度，以及抗熱沖擊強(qiáng)、不易沿晶界開裂等優(yōu)點。氟化鎂在高溫時易發(fā)生氧化或水解反應(yīng)，生成氧化鎂雜質(zhì)，氧化鎂熔點較高，不易揮發(fā)
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氟化鎂晶體具有從真空紫外到紅外范圍的良好滲透性，并且是紅外和紫外檢測器的常用窗口材料。隨著大功率激光技術(shù)，高精度成像技術(shù)，紅外制導(dǎo)技術(shù)和半導(dǎo)體光刻技術(shù)的飛速發(fā)展，市場對氟化鎂的需求急劇增加，尤其是在可預(yù)見的時間內(nèi)對高質(zhì)量單晶的需求。供不應(yīng)求的狀態(tài)。
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將氟化鎂粉料與高純PbF2粉料均勻混合，裝入鉗堝，把鉗堝放在坩堝座上，裝好加熱體，調(diào)整坩堝底部，使其位于高溫區(qū)，再裝好保溫罩，封好爐子抽真空。待真空度達(dá)到10-4乇時，以500w功率加熱，烘料1.5-2h，然后以1000W/15min速率緩慢升溫。
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與多晶氟化鎂相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透射率。另外，單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有高機(jī)械強(qiáng)度，并且抗熱沖擊并且不容易沿晶界開裂的優(yōu)點。氟化鎂在高溫下易于氧化或水解反應(yīng)以產(chǎn)生氧化鎂雜質(zhì)。