門頭溝氟化鈣光學(xué)鍍膜材料廠家供應(yīng)
發(fā)布時(shí)間：2024-11-03 01:05:39
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與多晶氟化鎂相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透射率。另外，單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有高機(jī)械強(qiáng)度，并且抗熱沖擊并且不容易沿晶界開裂的優(yōu)點(diǎn)。氟化鎂在高溫下易于氧化或水解反應(yīng)以產(chǎn)生氧化鎂雜質(zhì)。
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利用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制晶體生產(chǎn)有效的解決了大直徑晶體的炸裂及生長(zhǎng)界面不穩(wěn)定引起的包裹體、生長(zhǎng)層、氣泡等缺陷。采用低拉速生長(zhǎng)，生長(zhǎng)結(jié)束后緩慢降溫在真空爐中進(jìn)行精密退火，獲得了優(yōu)質(zhì)的氟化鈣晶體。
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搬運(yùn)時(shí)要輕裝輕卸，防止包裝及容器損壞。配備泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。倒空的容器可能殘留有害物。氟化鋁儲(chǔ)存注意事項(xiàng)：儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)的庫(kù)房。包裝密封。應(yīng)與酸類、食用化學(xué)品分開存放，切忌混儲(chǔ)。儲(chǔ)區(qū)應(yīng)備有合適的材料收容泄漏物。
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氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。
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氟化鋇一般有兩種形態(tài)，一種是無色透明的立方結(jié)晶體，還有一種是白色粉末狀。能夠溶于鹽酸、硝酸以及乙醇等有機(jī)溶劑，微溶于水。熔點(diǎn)為1368℃，沸點(diǎn)為2260℃。今天咱們就來說說氟化鋇進(jìn)行儲(chǔ)存的方法都有哪些。