大石橋氟化鈣光學(xué)鍍膜材料制造商哪家好
發(fā)布時(shí)間：2024-12-31 01:01:19
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氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過(guò)切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開(kāi)放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過(guò)程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過(guò)程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。
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在受到高熱分解時(shí)，會(huì)釋放出有毒的煙氣，對(duì)眼睛、皮膚以及粘膜等地方但是具有強(qiáng)烈的刺激性作用。如果接觸過(guò)量，會(huì)出現(xiàn)惡心、呼吸困難、發(fā)燒、唾液分泌增多等癥狀。長(zhǎng)期接觸這種有毒物質(zhì)會(huì)導(dǎo)致骨頭、韌帶以及肌腱等地方鈣化。
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氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過(guò)切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開(kāi)放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過(guò)程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過(guò)程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。
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氟化鎂晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中加入一定量的除氧劑，以防止氧或羥基進(jìn)入晶體中。將處理后的晶體料裝入石墨坩堝并抽真空，真空度應(yīng)達(dá)到10^(-4)Pa以上，按程序進(jìn)行升溫并保溫使原料充分熔化。采用電阻加熱提拉法生長(zhǎng)出光學(xué)均勻性和質(zhì)量一致性好的氟化鈣單晶。