豐臺(tái)氟化鎂光學(xué)鍍膜材料廠家供應(yīng)
發(fā)布時(shí)間：2025-01-18 01:00:43
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與氟化鎂多晶相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透過(guò)率，此外單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有很高的機(jī)械強(qiáng)度，以及抗熱沖擊強(qiáng)、不易沿晶界開(kāi)裂等優(yōu)點(diǎn)。氟化鎂在高溫時(shí)易發(fā)生氧化或水解反應(yīng)，生成氧化鎂雜質(zhì)，氧化鎂熔點(diǎn)較高，不易揮發(fā)
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待功率達(dá)到6700W時(shí)，恒溫45min，再降到6400W恒溫45min。此時(shí)真空度一般達(dá)到10-5乇，然后以4mm/h的速度下降坩堝，進(jìn)行生長(zhǎng)。坩堝停降后，以150W/15min的速率降溫，直至室溫，然后取出氟化鎂晶體。
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類型分類目前市面上二氧化硅主要是按照形狀不同分為：二氧化硅晶體顆粒，二氧化硅晶體柱狀顆粒和二氧化硅晶體切片規(guī)格介紹- 二氧化硅晶體顆粒常規(guī)尺寸為： 1-3mm，3-5mm- 二氧化硅晶體柱狀顆粒常規(guī)尺寸為：2*4mm-二氧化硅晶體切片常規(guī)尺寸為：20*10mm二氧化硅純度一般為99.9%和99.99%
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將高純的氟化鈣顆粒料置于石墨坩堝內(nèi)，抽真空度至10^-4Pa，通入一定量的高純CF4氣體，加熱使其熔化，恒溫一段時(shí)間，然后以較快速率降溫，將結(jié)晶的晶塊去除，去除表面雜質(zhì)，然后將塊狀晶料用于晶體生長(zhǎng)。氟化鎂晶體生長(zhǎng)工藝對(duì)晶體質(zhì)量有重大影響，通過(guò)工藝（拉速、轉(zhuǎn)速）優(yōu)化
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氟化鎂晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中加入一定量的除氧劑，以防止氧或羥基進(jìn)入晶體中。將處理后的晶體料裝入石墨坩堝并抽真空，真空度應(yīng)達(dá)到10^(-4)Pa以上，按程序進(jìn)行升溫并保溫使原料充分熔化。采用電阻加熱提拉法生長(zhǎng)出光學(xué)均勻性和質(zhì)量一致性好的氟化鈣單晶。
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二氧化硅，分子式：SiO2 介紹二氧化硅是一種無(wú)色透明狀鍍膜材料，折射率穩(wěn)定，是一種低折射率材料，二氧化硅具有從紫外到到紅外的寬譜段高透性，具有良好的物理和化學(xué)穩(wěn)定性，在20世紀(jì)初，通過(guò)物理氣相沉積技術(shù)制作成二氧化硅薄膜，已被廣泛應(yīng)用于光學(xué)和光電子領(lǐng)域的基本材料。