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奉賢二氧化硅光學(xué)鍍膜材料批發(fā)價(jià)格

氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。

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由于各領(lǐng)域?qū)ΨV的品質(zhì)要求不一，其制備的方法也各不相同。工業(yè)上生產(chǎn)氟化鎂的原料主要來自菱鎂礦和鹽湖鹵水，適用于大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)，而高品質(zhì)氟化鎂的實(shí)驗(yàn)室制備方法生產(chǎn)原料則來自成品鎂鹽。

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氟化鎂晶體具有從真空紫外到紅外范圍的良好滲透性，并且是紅外和紫外檢測(cè)器的常用窗口材料。隨著大功率激光技術(shù)，高精度成像技術(shù)，紅外制導(dǎo)技術(shù)和半導(dǎo)體光刻技術(shù)的飛速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)氟化鎂的需求急劇增加，尤其是在可預(yù)見的時(shí)間內(nèi)對(duì)高質(zhì)量單晶的需求。供不應(yīng)求的狀態(tài)。

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密閉操作、局部排風(fēng)，操作人員必須經(jīng)過專門培訓(xùn)，嚴(yán)格遵守操作規(guī)定。氟化鎂晶體在生長(zhǎng)過程中加入一定量的除氧劑，以防止氧或羥基進(jìn)入晶體中。將處理后的晶體料裝入石墨。

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氟化鎂的蒸汽壓較高，原料在提拉法生長(zhǎng)的敝開體系中易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過程需在正壓條件下進(jìn)行。首先將晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)抽至真空，然后充入高純氬氣至微正壓，待氣體均勻后將氬氣抽出，從而將爐內(nèi)的水分和氧氣等雜質(zhì)排除。該過程重復(fù)進(jìn)行，直到晶體爐內(nèi)達(dá)到真空狀態(tài)，開始升溫至氟化鎂燒結(jié)料熔化。

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殘留在生長(zhǎng)體系中的氧化鎂會(huì)導(dǎo)致晶體過濾降低，并造成晶體內(nèi)部產(chǎn)生散射顆粒等缺陷，因此在整個(gè)晶體生長(zhǎng)過程中必須避免氧氣及水汽存在。在氟化鎂原料中需要加入一定質(zhì)量百分比的除氧劑，這樣不僅能有效除去原料和晶體爐內(nèi)的水分，還可以進(jìn)一步氟化原料，避免氟化鎂晶料水解或氧化。