通州氟化鈣光學(xué)鍍膜材料市場報價
發(fā)布時間：2025-02-18 00:59:51
通州氟化鈣光學(xué)鍍膜材料市場報價
氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長過程需要在正壓條件下進行。首先，將晶體生長爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。
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在鋁的生產(chǎn)中氟化鋁作電解浴組分，用以降低熔點和提高電解質(zhì)的電導(dǎo)率。用于生產(chǎn)酒精時作發(fā)酵的抑制劑。用作陶瓷外層釉彩和搪瓷釉的助溶劑、非鐵金屬的溶劑。在金屬焊接中用于焊接液。用于制造光學(xué)透鏡。還用作有機合成的催化劑機人造冰晶石的原料等。
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將高純的氟化鈣顆粒料置于石墨坩堝內(nèi)，抽真空度至10^-4Pa，通入一定量的高純CF4氣體，加熱使其熔化，恒溫一段時間，然后以較快速率降溫，將結(jié)晶的晶塊去除，去除表面雜質(zhì)，然后將塊狀晶料用于晶體生長。氟化鎂晶體生長工藝對晶體質(zhì)量有重大影響，通過工藝（拉速、轉(zhuǎn)速）優(yōu)化
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氧化鎂的熔點高，不易揮發(fā)。殘留在生長系統(tǒng)中的氧化鎂將減少晶體過濾，并導(dǎo)致缺陷，例如晶體內(nèi)部的散射顆粒。因此，在整個晶體生長過程中必須避免氧氣和水蒸氣。有必要在氟化鎂原料中加入質(zhì)量百分比的除氧劑，不僅可以有效去除原料和結(jié)晶爐中的水分，還可以對原料進行進一步的氟化處理，避免水解或氧化。氟化鎂晶體材料
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氟化鎂晶體在生長過程中加入一定量的除氧劑，以防止氧或羥基進入晶體中。將處理后的晶體料裝入石墨坩堝并抽真空，真空度應(yīng)達到10^(-4)Pa以上，按程序進行升溫并保溫使原料充分熔化。采用電阻加熱提拉法生長出光學(xué)均勻性和質(zhì)量一致性好的氟化鈣單晶。
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氟化鎂晶體被應(yīng)用在光學(xué)系統(tǒng)中，它的透過波段為0.11μm-8.5μm。輻照不會導(dǎo)致色心的產(chǎn)生，它有良好的機械性能，可以承受熱和機械震動，很大的外力才能使氟化鎂解理。氟化鎂單晶由于有微弱的雙折射性能，通常的切向為光軸垂直于晶片表面。