昌平二氧化硅光學(xué)鍍膜材料產(chǎn)地貨源公司
發(fā)布時(shí)間：2025-02-27 00:59:31
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利用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制晶體生產(chǎn)有效的解決了大直徑晶體的炸裂及生長(zhǎng)界面不穩(wěn)定引起的包裹體、生長(zhǎng)層、氣泡等缺陷。采用低拉速生長(zhǎng)，生長(zhǎng)結(jié)束后緩慢降溫在真空爐中進(jìn)行精密退火，獲得了優(yōu)質(zhì)的氟化鈣晶體。
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氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。
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氟化鎂晶體具有從真空紫外到紅外范圍的良好滲透性，并且是紅外和紫外檢測(cè)器的常用窗口材料。隨著大功率激光技術(shù)，高精度成像技術(shù)，紅外制導(dǎo)技術(shù)和半導(dǎo)體光刻技術(shù)的飛速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)氟化鎂的需求急劇增加，尤其是在可預(yù)見的時(shí)間內(nèi)對(duì)高質(zhì)量單晶的需求。供不應(yīng)求的狀態(tài)。
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與氟化鎂多晶相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透過率，此外單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有很高的機(jī)械強(qiáng)度，以及抗熱沖擊強(qiáng)、不易沿晶界開裂等優(yōu)點(diǎn)。氟化鎂在高溫時(shí)易發(fā)生氧化或水解反應(yīng)，生成氧化鎂雜質(zhì)，氧化鎂熔點(diǎn)較高，不易揮發(fā)