長寧氟化鎂光學(xué)鍍膜材料批發(fā)價(jià)格
發(fā)布時(shí)間：2025-03-16 00:58:40
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氧化鎂的熔點(diǎn)高，不易揮發(fā)。殘留在生長系統(tǒng)中的氧化鎂將減少晶體過濾，并導(dǎo)致缺陷，例如晶體內(nèi)部的散射顆粒。因此，在整個(gè)晶體生長過程中必須避免氧氣和水蒸氣。有必要在氟化鎂原料中加入質(zhì)量百分比的除氧劑，不僅可以有效去除原料和結(jié)晶爐中的水分，還可以對原料進(jìn)行進(jìn)一步的氟化處理，避免水解或氧化。氟化鎂晶體材料
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氟化鎂晶體材料的應(yīng)用分析在氟化鎂晶體的生長過程中添加量的除氧劑，以防止氧氣或羥基進(jìn)入晶體。將加工后的晶體材料填充到石墨中。在迄今為止已知的材料中，氟化鎂晶體是在真空紫外線帶中具有透光性能的材料之一。氟化鎂晶體的范圍從真空紫外線到紅色。
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3、升華法：將一份氯化銨與2.3份氟化鈉的混合物放在鉑皿中，鉑皿中蓋以凹形蓋，蓋上放冷水冷卻，微熱鉑皿，升華出來的氟化銨凝結(jié)在皿蓋上，可得棱形小結(jié)晶。
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與多晶氟化鎂相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透射率。另外，單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有高機(jī)械強(qiáng)度，并且抗熱沖擊并且不容易沿晶界開裂的優(yōu)點(diǎn)。氟化鎂在高溫下易于氧化或水解反應(yīng)以產(chǎn)生氧化鎂雜質(zhì)。
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將氟化鎂粉料與高純PbF2粉料均勻混合，裝入鉗堝，把鉗堝放在坩堝座上，裝好加熱體，調(diào)整坩堝底部，使其位于高溫區(qū)，再裝好保溫罩，封好爐子抽真空。待真空度達(dá)到10-4乇時(shí)，以500w功率加熱，烘料1.5-2h，然后以1000W/15min速率緩慢升溫。
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將高純的氟化鈣顆粒料置于石墨坩堝內(nèi)，抽真空度至10^-4Pa，通入一定量的高純CF4氣體，加熱使其熔化，恒溫一段時(shí)間，然后以較快速率降溫，將結(jié)晶的晶塊去除，去除表面雜質(zhì)，然后將塊狀晶料用于晶體生長。氟化鎂晶體生長工藝對晶體質(zhì)量有重大影響，通過工藝（拉速、轉(zhuǎn)速）優(yōu)化