浦東新氟化鎂光學鍍膜材料廠家供應
發(fā)布時間：2025-04-01 00:58:03
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待功率達到6700W時，恒溫45min，再降到6400W恒溫45min。此時真空度一般達到10-5乇，然后以4mm/h的速度下降坩堝，進行生長。坩堝停降后，以150W/15min的速率降溫，直至室溫，然后取出氟化鎂晶體。
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將高純的氟化鈣顆粒料置于石墨坩堝內，抽真空度至10^-4Pa，通入一定量的高純CF4氣體，加熱使其熔化，恒溫一段時間，然后以較快速率降溫，將結晶的晶塊去除，去除表面雜質，然后將塊狀晶料用于晶體生長。氟化鎂晶體生長工藝對晶體質量有重大影響，通過工藝（拉速、轉速）優(yōu)化
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殘留在生長體系中的氧化鎂會導致晶體過濾降低，并造成晶體內部產(chǎn)生散射顆粒等缺陷，因此在整個晶體生長過程中必須避免氧氣及水汽存在。在氟化鎂原料中需要加入一定質量百分比的除氧劑，這樣不僅能有效除去原料和晶體爐內的水分，還可以進一步氟化原料，避免氟化鎂晶料水解或氧化。
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產(chǎn)品應用-在鍍膜工藝中，二氧化硅常作為金屬或者其他材料的表面抗刮和保護層，鍍制保護膜。-二氧化硅也可用于光纖端頭的鍍膜使用，在高真空環(huán)境中，通過膜系設計，與高折射材料例Ta2O5，相互配合鍍膜于光纖端頭，從而達到提升光纖的透過或高反的目的。
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氟化鎂的蒸汽壓較高，原料在提拉法生長的敝開體系中易揮發(fā)，因此晶體生長過程需在正壓條件下進行。首先將晶體生長爐內抽至真空，然后充入高純氬氣至微正壓，待氣體均勻后將氬氣抽出，從而將爐內的水分和氧氣等雜質排除。該過程重復進行，直到晶體爐內達到真空狀態(tài)，開始升溫至氟化鎂燒結料熔化。
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氟化鎂晶體具有從真空紫外到紅外范圍的良好滲透性，并且是紅外和紫外檢測器的常用窗口材料。隨著大功率激光技術，高精度成像技術，紅外制導技術和半導體光刻技術的飛速發(fā)展，市場對氟化鎂的需求急劇增加，尤其是在可預見的時間內對高質量單晶的需求。供不應求的狀態(tài)。