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盤錦二氧化硅光學(xué)鍍膜材料生產(chǎn)廠家

氟化物是當(dāng)今重要污染物,現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)過程排放了大量氟污染物．由于其巨大危害性,氟污染和回收利用問題受到人們?cè)絹碓蕉嚓P(guān)注．本文主要對(duì)氟化物危害,我國(guó)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)對(duì)氟化物要求,氟化物來源以及氟化物遷移轉(zhuǎn)化過程等進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹,同時(shí)介紹了電解鋁廠中產(chǎn)生氟化物污染控制技術(shù)．

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與多晶氟化鎂相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透射率。另外，單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有高機(jī)械強(qiáng)度，并且抗熱沖擊并且不容易沿晶界開裂的優(yōu)點(diǎn)。氟化鎂在高溫下易于氧化或水解反應(yīng)以產(chǎn)生氧化鎂雜質(zhì)。

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氧化鎂的熔點(diǎn)高，不易揮發(fā)。殘留在生長(zhǎng)系統(tǒng)中的氧化鎂將減少晶體過濾，并導(dǎo)致缺陷，例如晶體內(nèi)部的散射顆粒。因此，在整個(gè)晶體生長(zhǎng)過程中必須避免氧氣和水蒸氣。有必要在氟化鎂原料中加入質(zhì)量百分比的除氧劑，不僅可以有效去除原料和結(jié)晶爐中的水分，還可以對(duì)原料進(jìn)行進(jìn)一步的氟化處理，避免水解或氧化。氟化鎂晶體材料

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由于各領(lǐng)域?qū)ΨV的品質(zhì)要求不一，其制備的方法也各不相同。工業(yè)上生產(chǎn)氟化鎂的原料主要來自菱鎂礦和鹽湖鹵水，適用于大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)，而高品質(zhì)氟化鎂的實(shí)驗(yàn)室制備方法生產(chǎn)原料則來自成品鎂鹽。

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待功率達(dá)到6700W時(shí)，恒溫45min，再降到6400W恒溫45min。此時(shí)真空度一般達(dá)到10-5乇，然后以4mm/h的速度下降坩堝，進(jìn)行生長(zhǎng)。坩堝停降后，以150W/15min的速率降溫，直至室溫，然后取出氟化鎂晶體。