氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過(guò)切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開(kāi)放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過(guò)程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過(guò)程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。氟化鎂晶體材料的應(yīng)用分析在氟化鎂晶體的生長(zhǎng)過(guò)程中添加一定量的除氧劑，以防止氧氣或羥基進(jìn)入晶體。將加工后的晶體材料填充到石墨中。在迄今為止已知的材料中，氟化鎂晶體是在真空紫外線帶中具有佳透光性能的材料之一。氟化鎂晶體的范圍從真空紫外線到紅色。單晶原子以均勻有序的長(zhǎng)距離有序排列，表現(xiàn)出優(yōu)選的取向。因?yàn)闆](méi)有晶界，相鄰的顆粒(或氟化物)。從國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)和生產(chǎn)過(guò)程來(lái)看，有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)是干燥的氟化鋁生產(chǎn)過(guò)程及其產(chǎn)品。氟化鈣光學(xué)鍍膜材料

在迄今為止已知的材料中，氟化鎂晶體是在真空紫外線帶中具有佳透光性能的材料之一。氟化鎂晶體具有從真空紫外到紅外范圍的良好滲透性，并且是紅外和紫外檢測(cè)器的常用窗口材料。隨著大功率激光技術(shù)，高精度成像技術(shù)，紅外制導(dǎo)技術(shù)和半導(dǎo)體光刻技術(shù)的飛速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)氟化鎂的需求急劇增加，尤其是在可預(yù)見(jiàn)的時(shí)間內(nèi)對(duì)高質(zhì)量單晶的需求。供不應(yīng)求的狀態(tài)。

與多晶氟化鎂相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透射率。 另外，單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有高機(jī)械強(qiáng)度，并且抗熱沖擊并且不容易沿晶界開(kāi)裂的優(yōu)點(diǎn)。

氟化鎂在高溫下易于氧化或水解反應(yīng)以產(chǎn)生氧化鎂雜質(zhì)。氧化鎂的熔點(diǎn)高，不易揮發(fā)。殘留在生長(zhǎng)系統(tǒng)中的氧化鎂將減少晶體過(guò)濾，并導(dǎo)致缺陷，例如晶體內(nèi)部的散射顆粒。因此，在整個(gè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中必須避免氧氣和水蒸氣。有必要在氟化鎂原料中加入一定質(zhì)量百分比的除氧劑，不僅可以有效去除原料和結(jié)晶爐中的水分，還可以對(duì)原料進(jìn)行進(jìn)一步的氟化處理，避免水解或氧化。氟化鎂晶體材料。

氟化鎂的蒸氣壓較高，并且在通過(guò)切克勞斯基方法生長(zhǎng)的開(kāi)放系統(tǒng)中原料易揮發(fā)，因此晶體生長(zhǎng)過(guò)程需要在正壓條件下進(jìn)行。首先，將晶體生長(zhǎng)爐抽真空至真空，然后用高純度氬氣填充至略微正壓。氣體均勻后，將氬氣抽出以除去爐中的雜質(zhì)，例如水分和氧氣。重復(fù)該過(guò)程直到達(dá)到晶體爐中的真空狀態(tài)，并且將溫度升高至氟化鎂燒結(jié)材料的熔化。