通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，氟化鋁的加入對紅柱石莫來石化形成的莫來石相的形態(tài)有重要影響。紅柱石礦粉煅燒后所得燒結(jié)產(chǎn)物經(jīng)氫氟酸溶液浸泡處理后，去除包裹在莫來石晶粒周圍的玻璃相，露出反應(yīng)生產(chǎn)的莫來石，莫來石晶粒大部分還聚集在一起。說明在高溫下紅柱石轉(zhuǎn)化為莫來石時(shí)，反應(yīng)物中部分SiO2轉(zhuǎn)化為玻璃相，包裹在新生產(chǎn)的莫來石晶體周圍。新生產(chǎn)的莫來石相位短棒狀，說明莫來石本身有一定的各向異性生長的趨勢，但莫來石晶體長度較短，僅為4—7μm，且長徑比較小。

  在實(shí)驗(yàn)配方中加入不同含量氟化鋁，1400℃煅燒4h的燒結(jié)產(chǎn)物經(jīng)氫氟酸溶液腐蝕得到莫來石晶體的SEM照片。當(dāng)氟化鋁加入量為3wt%時(shí)，生產(chǎn)的莫來石大部分仍為短片狀，少部分為短針狀。氟化鋁為6wt%時(shí)，絕大多數(shù)為細(xì)長針狀莫來石晶體。選取典型的針狀莫來石晶粒在SEm中測量其尺寸，發(fā)現(xiàn)直徑為0.5—2.0μm，長徑比為20—40，說明此時(shí)莫來石晶體主要為一維方向生長。

  但氟化鋁為9wt%時(shí)，莫來石晶體開始側(cè)面成核生長，直徑開始變大，長度方向上卻沒有繼續(xù)伸長下去。此時(shí)莫來石晶體生長可能遵循的是氣固生長機(jī)理，即莫來石晶須的生長主要受到氣相傳輸?shù)挠绊?，氟化鋁在高溫時(shí)變?yōu)闅庀?，參與到反應(yīng)中。

  當(dāng)氟化鋁的飽和度較低時(shí)，晶體在尖端生長，抑制了二維成核，當(dāng)飽和度高于晶體生長所需，就會(huì)產(chǎn)生二維生長，產(chǎn)生片晶。所以氟化鋁的加入，對紅柱石礦粉在高溫下莫來石化有著極為重要的影響，我們可以利用類似的方法通過調(diào)節(jié)莫來石陶瓷中莫來石相的形態(tài)，制備自增韌的莫來石陶瓷，或者制備莫來石晶須，氟化鎂光學(xué)鍍膜材料廠家用于制備莫來石須增強(qiáng)的陶瓷基和金屬基復(fù)合材料。

光學(xué)鍍膜的特點(diǎn)是:表面光滑，膜層之間的界面是幾何劃分的，膜層在界面上的折射率可以發(fā)生跳躍，但在膜層是連續(xù)的，可以是透明介質(zhì)，也可以是光學(xué)鍍膜。用物理或化學(xué)方法涂覆單層或多層透明介質(zhì)涂層，可在涂層表面涂覆，使下表面干涉相位變長或消除，使反射光增強(qiáng)或減弱，實(shí)現(xiàn)反射或反射。反光膜在現(xiàn)代被廣泛使用。高反射鏡是在玻璃基板上多層鍍膜而成的多層膜系統(tǒng)?；诜瓷湓鰪?qiáng)和反射增強(qiáng)原理的高反射率多層光學(xué)涂層廣泛應(yīng)用于激光器、激光陀螺和波分復(fù)用技術(shù)。

光學(xué)鍍膜材料濺射鍍膜的基本原理如下：

濺射鍍膜工藝可重復(fù)性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜氟化鎂光學(xué)鍍膜材料，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，各種類型的濺射薄膜材料已得到廣泛的應(yīng)用，因此，對濺射靶材這一具有高附加值的功能材料需求逐年增加，濺射靶材亦已成為目前市場應(yīng)用量最大的 PVD 鍍膜材料。