氟化鋁作為有機(jī)化合物及有機(jī)氟化合物合成中的催化劑載體愈來愈受到重視。由氧化鋁在一定溫度下與HF、NH4F、NH4HF2等反應(yīng)斗可制得氟化鋁。工業(yè)上一半采用濃度約30%的HF與AL（OH）3反應(yīng)來制備。γ-AlF3及非晶相AlF3在一定的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定性好，活性較高。因此，制備高含量γ-相和非晶相AlF3是制備活性氟化鋁的關(guān)鍵。

    由于Al2O3與HF的反應(yīng)是一強(qiáng)放熱反應(yīng)，必須采用強(qiáng)循環(huán)的熔鹽及時(shí)帶走熱量，以避免產(chǎn)物AlF3的晶相轉(zhuǎn)變及孔隙堵塞而降低比表面積。氟化鋁的氟化反應(yīng)約進(jìn)行24小時(shí)后，再用純HF通入反應(yīng)管內(nèi)反應(yīng)2小時(shí)，最后用氮?dú)饬鞔祾撸玫疆a(chǎn)物氟化鋁。

    有數(shù)據(jù)看出，較低溫度下氟化也含有少量α-AlF3的氟化鋁產(chǎn)物具有較高的比表面積，明顯地高于相關(guān)值，孔徑分布在100A以下的占到95%以上，含α-AlF3  95%以上的比表面積與相關(guān)數(shù)據(jù)值接近。

    在較高溫度下氟化，γ-相和非晶相大部分轉(zhuǎn)化為α-相。氟化鈣光學(xué)鍍膜材料廠家制備氟化鋁由于是一種強(qiáng)放熱反應(yīng)，較高溫氟化，反應(yīng)熱不能及時(shí)帶走，除使其晶相轉(zhuǎn)變外，還會(huì)導(dǎo)致AlF3的燒結(jié)、晶粒長(zhǎng)大和AlF3

的揮發(fā)堵塞孔隙。使比表面積降低和孔容減小，從而呈現(xiàn)比表面積與晶相組成的對(duì)應(yīng)關(guān)系。即α-AlF3含量越高比表面積越低。γ-AlF3含量越高比表面積越高。

    由測(cè)試數(shù)據(jù)看出，用γ-Al2O3制得的氟化鋁是由α、γ及非晶相組成。隨著氟化溫度的不同，三種晶相的含量也有所不同。較低溫度下氟化也含有少量氟化鋁，這可能是由于氟化床層局部熱量聚集，使局部的溫度過高所致。

    制備氟化鋁時(shí)應(yīng)該選擇適宜的溫度及合適的操作條件，利用氣相氟化方法，可得到高比表面積的活性氟化鋁。

    相關(guān)數(shù)據(jù)表結(jié)果也說明了氟化條件，比表面積與氟化鋁的晶相組成的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

真空鍍膜采用磁控離子濺射、多弧離子鍍等先進(jìn)的綠色真空鍍膜技術(shù)。其基本原理是:在真空室中，利用電弧(或輝光)放電產(chǎn)生的能量直接蒸發(fā)(或?yàn)R射)和電離目標(biāo)(金屬或鈦合金等)產(chǎn)生金屬離子。事實(shí)上，真空鍍膜技術(shù)和光學(xué)鍍膜技術(shù)有點(diǎn)不同，對(duì)吧?氟化鈣光學(xué)鍍膜材料是指在光學(xué)零件表面鍍上一層(或多層)金屬(或介質(zhì))膜的過程。光學(xué)零件表面涂層的目的是降低或增加對(duì)光線的反射、分裂、分色、濾波和偏振的要求。真空鍍膜是指在高真空狀態(tài)下加熱金屬或非金屬材料，使其在鍍膜部件(金屬、半導(dǎo)體或絕緣體)表面蒸發(fā)凝結(jié)成膜的方法。

電弧沉積的宏觀顆粒數(shù)量是隨沉積時(shí)間延長(zhǎng)而積累增加的，因?yàn)樵S多顆粒尺度比鍍層厚度都

大，故在鍍層表面大都會(huì)顯露出來的；因此縮短沉積時(shí)間其〝宏觀顆粒〞數(shù)量相對(duì)會(huì)減少，以往

經(jīng)驗(yàn)一般0.3 微米以下TiN 鍍層厚還不至于發(fā)朦?？刂齐娀〕练e時(shí)間是關(guān)鍵。當(dāng)前離子鍍高擋裝

飾膜只利用電弧鍍作離子清洗和打底過渡層，沉積時(shí)間很短，就是避免發(fā)朦。營(yíng)口市榮興達(dá)科技實(shí)業(yè)股份有限公司歡迎您的來電咨詢