通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，氟化鋁的加入對(duì)紅柱石莫來(lái)石化形成的莫來(lái)石相的形態(tài)有重要影響。紅柱石礦粉煅燒后所得燒結(jié)產(chǎn)物經(jīng)氫氟酸溶液浸泡處理后，去除包裹在莫來(lái)石晶粒周?chē)牟Ａ啵?/span>氟化鎂光學(xué)鍍膜材料廠家露出反應(yīng)生產(chǎn)的莫來(lái)石，莫來(lái)石晶粒大部分還聚集在一起。說(shuō)明在高溫下紅柱石轉(zhuǎn)化為莫來(lái)石時(shí)，反應(yīng)物中部分SiO2轉(zhuǎn)化為玻璃相，包裹在新生產(chǎn)的莫來(lái)石晶體周?chē)?。新生產(chǎn)的莫來(lái)石相位短棒狀，說(shuō)明莫來(lái)石本身有一定的各向異性生長(zhǎng)的趨勢(shì)，但莫來(lái)石晶體長(zhǎng)度較短，僅為4—7μm，且長(zhǎng)徑比較小。

  在實(shí)驗(yàn)配方中加入不同含量氟化鋁，1400℃煅燒4h的燒結(jié)產(chǎn)物經(jīng)氫氟酸溶液腐蝕得到莫來(lái)石晶體的SEM照片。當(dāng)氟化鋁加入量為3wt%時(shí)，生產(chǎn)的莫來(lái)石大部分仍為短片狀，少部分為短針狀。氟化鋁為6wt%時(shí)，絕大多數(shù)為細(xì)長(zhǎng)針狀莫來(lái)石晶體。選取典型的針狀莫來(lái)石晶粒在SEm中測(cè)量其尺寸，發(fā)現(xiàn)直徑為0.5—2.0μm，長(zhǎng)徑比為20—40，說(shuō)明此時(shí)莫來(lái)石晶體主要為一維方向生長(zhǎng)。

  但氟化鋁為9wt%時(shí)，莫來(lái)石晶體開(kāi)始側(cè)面成核生長(zhǎng)，直徑開(kāi)始變大，長(zhǎng)度方向上卻沒(méi)有繼續(xù)伸長(zhǎng)下去。此時(shí)莫來(lái)石晶體生長(zhǎng)可能遵循的是氣固生長(zhǎng)機(jī)理，即莫來(lái)石晶須的生長(zhǎng)主要受到氣相傳輸?shù)挠绊?，氟化鋁在高溫時(shí)變?yōu)闅庀啵瑓⑴c到反應(yīng)中。

造成膜強(qiáng)度不良的原因還有，真空度過(guò)低(在手動(dòng)控制的機(jī)臺(tái)容易發(fā)生)、真空室臟、基片加熱不到位。

輔助氣體充入時(shí)，膜料也在放氣致使真空度降低，氟化鎂光學(xué)鍍膜材料使分子自由程減少，膜層不牢。所以輔助氣體的充入要考慮膜料的放氣，鍍前對(duì)膜料充分預(yù)熔充分放氣，也可以避免由于蒸鍍中膜料放氣造成真空度過(guò)度下降，從而影響膜強(qiáng)度。

鍍膜這個(gè)行業(yè)今后前景也不錯(cuò)，低端到眼鏡片、高端到衛(wèi)星激光通信、量大的到手機(jī)屏幕，都離不開(kāi)鍍膜技術(shù)． 光學(xué)鍍膜技術(shù)在過(guò)去的幾十年里取得了很大的進(jìn)步，從舟式蒸發(fā)、電子束熱蒸發(fā)和離子束輔助沉積技術(shù)到離子束濺射和磁控濺射技術(shù)。企業(yè)以技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)為目標(biāo)，從國(guó)外引進(jìn)多臺(tái)真空鍍膜設(shè)備，結(jié)合國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的真空鍍膜技術(shù)，打造光學(xué)鍍膜行業(yè)的技術(shù)標(biāo)桿。