眾所周知 磁控濺射鍍膜機 用的是磁控濺射靶材，那么磁控濺射鍍膜機 靶材在鍍膜濺射的時候會出生靶中毒現(xiàn)象，出現(xiàn)靶中毒現(xiàn)狀，是大家都非常頭疼的事情，既浪費了靶材，同時也耽誤了生產(chǎn)時間，是非常讓人頭疼的事情。

一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，氟化鈣光學(xué)鍍膜材料靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶中毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

       影響磁控濺射真空鍍膜設(shè)備靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，氟化鈣光學(xué)鍍膜材料廠家如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒。

       磁控濺射鍍膜機常見的靶中毒現(xiàn)象有：

  (1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。

（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。

冰晶石氟有按捺致齲細菌的成長及歸納多糖的效果。齲病的發(fā)作與黏附在牙面的細菌有密切關(guān)系。試驗證明，必定濃度的氟化物可按捺致齲鏈球菌細胞內(nèi)多糖的儲存。細胞內(nèi)多糖是細菌的營養(yǎng)物質(zhì)，它的缺少會影響細菌的代謝、成長與繁衍。氟化物還有按捺致齲鏈球菌歸納細胞外多糖的效果。細胞外多糖是細菌集合并黏附在牙面上構(gòu)成菌斑的基質(zhì)。細胞外多糖缺少會阻止細菌在牙面上的黏附。

具有良好的機械物理性質(zhì)，它不但可以蒸鍍在玻璃和各種晶體材料上，而且還可以蒸鍍在塑料類材質(zhì)上，有極好的牢固度和優(yōu)良的面精度表面。營口市榮興達科技實業(yè)股份有限公司歡迎您的來電咨詢