迄今為止所知材料中，氟化鎂晶體是真空紫外波段透光性能好的材料之一。氟化鎂晶體從真空紫外到紅外段都有著良好的透過性，是一種常用的紅外、紫外探測器窗口材料。隨著大功率激光技術、高精度成像技術、紅外制導技術以及半導體光刻技術的迅猛發(fā)展，市場對氟化鎂的需求與日劇增，特別是高質量單晶體在可以預見的一段時間內都處于供不應求的狀態(tài)。氟化鎂光學鍍膜材料

與氟化鎂多晶相比，單晶在紫外區(qū)域具有更高的透過率，此外單晶材料在物理性能上優(yōu)于多晶材料，具有很高的機械強度，以及抗熱沖擊強、不易沿晶界開裂等優(yōu)點。

氟化鎂在高溫時易發(fā)生氧化或水解反應，生成氧化鎂雜質，氧化鎂熔點較高，不易揮發(fā)，殘留在生長體系中的氧化鎂會導致晶體過濾降低，并造成晶體內部產生散射顆粒等缺陷，因此在整個晶體生長過程中必須避免氧氣及水汽存在。在氟化鎂原料中需要加入一定質量百分比的除氧劑，這樣不僅能有效除去原料和晶體爐內的水分，還可以進一步氟化原料，避免氟化鎂晶料水解或氧化。

氟化鎂的蒸汽壓較高，原料在提拉法生長的敝開體系中易揮發(fā)，因此晶體生長過程需在正壓條件下進行。首先將晶體生長爐內抽至真空，然后充入高純氬氣至微正壓，待氣體均勻后將氬氣抽出，從而將爐內的水分和氧氣等雜質排除。該過程重復進行，直到晶體爐內達到真空狀態(tài)，開始升溫至氟化鎂燒結料熔化。