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氟化鎂降低氧化鋁的溶解度和溶解速度。在現(xiàn)有下料方式下，極易使下料點附近電解質(zhì)中氧化鋁濃度過飽和而在槽底造成大量沉淀。低分子比也會使電解質(zhì)初晶溫度降低。故當氟化鎂含量很高時，決不允許采用低分子比。
當氟化鎂含量逐步下降時，可適當調(diào)低分子比。另外，氟化鎂會增大鋁-電解質(zhì)界面的張力，使鋁的溶解損失降低；增大電解質(zhì)與炭素材料界面張力，有利炭渣排出。
特別值得一提的是氟化鎂是一種礦化劑，可加速r-Al2O3向α-Al2O3轉變，形成含百分之八十α-Al2O3的側部爐幫，氟化鎂光學鍍膜材料對提高電流效率、保持側部筑塊、人造伸腿和局部陰極炭塊是有利的。
但問題的反面是，過高的氟化鎂也會促進爐底沉淀迅速轉化成爐底結殼，這對我們的生產(chǎn)是有害的。除繼續(xù)降過高的氟化鎂含量外，目前可采取適當降低鋁水平，使槽熱源中心向槽底靠攏，保持較高過熱度，控制適當?shù)男禂?shù)，減少沉淀生成等綜合措施逐步進行調(diào)整。
將氟化鎂粉料與高純PbF2粉料均勻混合，裝入鉗堝，把鉗堝放在坩堝座上，裝好加熱體，調(diào)整坩堝底部，使其位于高溫區(qū)，再裝好保溫罩，封好爐子抽真空。
待真空度達到10-4乇時，以500w功率加熱，烘料1.5-2h，然后以1000W/15min速率緩慢升溫。待功率達到6700W時，恒溫45min，再降到6400W恒溫45min。
此時真空度一般達到10-5乇，然后以4mm/h的速度下降坩堝，進行生長。坩堝停降后，以150W/15min的速率降溫，直至室溫，然后取出氟化鎂晶體。
