氟化鎂降低氧化鋁的溶解度和溶解速度。在現(xiàn)有下料方式下，極易使下料點附近電解質(zhì)中氧化鋁濃度過飽和而在槽底造成大量沉淀。低分子比也會使電解質(zhì)初晶溫度降低。故當(dāng)氟化鎂含量很高時，決不允許采用低分子比。

  當(dāng)氟化鎂含量逐步下降時，可適當(dāng)調(diào)低分子比。另外，氟化鎂會增大鋁-電解質(zhì)界面的張力，使鋁的溶解損失降低；增大電解質(zhì)與炭素材料界面張力，有利炭渣排出。

  特別值得一提的是氟化鎂是一種礦化劑，可加速r-Al2O3向α-Al2O3轉(zhuǎn)變，形成含百分之八十α-Al2O3的側(cè)部爐幫，對提高電流效率、保持側(cè)部筑塊、人造伸腿和局部陰極炭塊是有利的。

  但問題的反面是，過高的氟化鎂也會促進爐底沉淀迅速轉(zhuǎn)化成爐底結(jié)殼，這對我們的生產(chǎn)是有害的。除繼續(xù)降過高的氟化鎂含量外，目前可采取適當(dāng)降低鋁水平，使槽熱源中心向槽底靠攏，保持較高過熱度，控制適當(dāng)?shù)男?yīng)系數(shù)，減少沉淀生成等綜合措施逐步進行調(diào)整。

氟化衫與紫杉醇在-78℃下全合成成功，收率70%，立體選擇性大于4:1。二氧化硅光學(xué)鍍膜材料廠家它在八面體環(huán)中占據(jù)四個碳原子，結(jié)構(gòu)新穎，合成難度大。利用smlz，molander成功地構(gòu)建了（-）-隱寫酮的八角形骨架“3”。在（-）-隱花酮類似物（+）-異五味子醇的合成中，莫蘭也使用了氟化釤二氧化硅光學(xué)鍍膜材料。

化合物14的軸向手性有效地控制了產(chǎn)物的手性，Z型雙鍵在反應(yīng)中也起著重要作用。HMPA和SML的配合物在鞍氧反應(yīng)體系中形成烷氧基鈣。HMPA與SM的幾種配合物增加了它們的體積，有效地控制了過渡態(tài)的構(gòu)型。氧環(huán)化是眾所周知的強親合性。

吸收介質(zhì):可以是法向均勻的,也可以是法向不均勻的,實際應(yīng)用的薄膜要比理想薄膜復(fù)雜得多,這是因為,制備時,薄膜的光學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)偏離大塊材料,其表面和界面是粗糙的,從而導(dǎo)致光束的漫散射,膜層之間的相互滲透形成擴散界面,由于膜層的生長、結(jié)構(gòu)、應(yīng)力等原因,形成了薄膜的各向異性,膜層具有復(fù)雜的時間效應(yīng).