通過實驗發(fā)現(xiàn)，氟化鋁的加入對紅柱石莫來石化形成的莫來石相的形態(tài)有重要影響。紅柱石礦粉煅燒后所得燒結產物經氫氟酸溶液浸泡處理后，去除包裹在莫來石晶粒周圍的玻璃相，露出反應生產的莫來石，莫來石晶粒大部分還聚集在一起。說明在高溫下紅柱石轉化為莫來石時，反應物中部分SiO2轉化為玻璃相，包裹在新生產的莫來石晶體周圍。新生產的莫來石相位短棒狀，說明莫來石本身有一定的各向異性生長的趨勢，但莫來石晶體長度較短，僅為4—7μm，且長徑比較小。

  在實驗配方中加入不同含量氟化鋁，1400℃煅燒4h的燒結產物經氫氟酸溶液腐蝕得到莫來石晶體的SEM照片。二氧化硅光學鍍膜材料價格當氟化鋁加入量為3wt%時，生產的莫來石大部分仍為短片狀，少部分為短針狀。氟化鋁為6wt%時，絕大多數(shù)為細長針狀莫來石晶體。選取典型的針狀莫來石晶粒在SEm中測量其尺寸，發(fā)現(xiàn)直徑為0.5—2.0μm，長徑比為20—40，說明此時莫來石晶體主要為一維方向生長。

  但氟化鋁為9wt%時，莫來石晶體開始側面成核生長，直徑開始變大，長度方向上卻沒有繼續(xù)伸長下去。此時莫來石晶體生長可能遵循的是氣固生長機理，即莫來石晶須的生長主要受到氣相傳輸?shù)挠绊?，氟化鋁在高溫時變?yōu)闅庀?，參與到反應中。

  當氟化鋁的飽和度較低時，晶體在尖端生長，抑制了二維成核，二氧化硅光學鍍膜材料當飽和度高于晶體生長所需，就會產生二維生長，產生片晶。所以氟化鋁的加入，對紅柱石礦粉在高溫下莫來石化有著極為重要的影響，我們可以利用類似的方法通過調節(jié)莫來石陶瓷中莫來石相的形態(tài)，制備自增韌的莫來石陶瓷，或者制備莫來石晶須，用于制備莫來石須增強的陶瓷基和金屬基復合材料。

電鍍薄膜是由沉積介質和金屬材料，如Ta2O5和/或Al2O3制成的薄層，應用中的光學波長通常是四分之一波長的光學厚度(QWOT)或半波光學厚度(HWOT)。這些薄膜是由高折射率層和低折射率層交替制成的，以誘導所需的干涉效果。圖1是寬帶減反射膜設計的示例描述。真空鍍膜主要是指需要在較高的真空下進行鍍膜，包括真空離子蒸發(fā)、磁控濺射、MBE分子束外延、PLD激光濺射沉積等鍍膜，所以。有兩種主要類型的蒸發(fā)和濺射。涂層可以顯著改變光學元件，降低或增加光線的反射、分束、分色、濾光、偏振等要求。

頻率高的波長短，頻率低的波長長。為了便于比較，可以按照無線電波、紅外線、可見光、紫外線、X射線和伽瑪射線等的波長(或頻率)的大小，把它們依次排成一個譜，這個譜叫電磁波譜。