氟化鎂降低氧化鋁的溶解度和溶解速度。在現(xiàn)有下料方式下，極易使下料點(diǎn)附近電解質(zhì)中氧化鋁濃度過飽和而在槽底造成大量沉淀。低分子比也會(huì)使電解質(zhì)初晶溫度降低。故當(dāng)氟化鎂含量很高時(shí)，決不允許采用低分子比。

  當(dāng)氟化鎂含量逐步下降時(shí)，可適當(dāng)調(diào)低分子比。另外，氟化鎂會(huì)增大鋁-電解質(zhì)界面的張力，使鋁的溶解損失降低；增大電解質(zhì)與炭素材料界面張力，有利炭渣排出。

  特別值得一提的是氟化鎂是一種礦化劑，可加速r-Al2O3向α-Al2O3轉(zhuǎn)變，形成含百分之八十α-Al2O3的側(cè)部爐幫，對(duì)提高電流效率、保持側(cè)部筑塊、人造伸腿和局部陰極炭塊是有利的。

  但問題的反面是，過高的氟化鎂也會(huì)促進(jìn)爐底沉淀迅速轉(zhuǎn)化成爐底結(jié)殼，這對(duì)我們的生產(chǎn)是有害的。除繼續(xù)降過高的氟化鎂含量外，目前可采取適當(dāng)降低鋁水平，使槽熱源中心向槽底靠攏，氟化鎂光學(xué)鍍膜材料保持較高過熱度，控制適當(dāng)?shù)男?yīng)系數(shù)，減少沉淀生成等綜合措施逐步進(jìn)行調(diào)整。

當(dāng)一個(gè)光學(xué)鍍膜被集成到一個(gè)單片組件中以明確地控制光的光譜傳輸時(shí)，這個(gè)組件被稱為濾光片。在光學(xué)鍍膜材料的應(yīng)用中，鍍膜靶材料是通過不同靶材料中的不同稀有金屬形成不同光學(xué)鍍膜材料的核心技術(shù)。多重反射和折射發(fā)生在兩個(gè)表面上。反射光和折射光的方向由反射和折射定律給出，反射光和折射光的振幅由菲涅耳公式確定(見界面處光的折射和反射)。氟化鎂光學(xué)鍍膜材料廠家大多數(shù)光學(xué)薄膜可以在各種玻璃、紅外晶體和金屬基板上鍍膜，當(dāng)然我們也可以根據(jù)客戶要求開發(fā)特殊薄膜。以下是一些常見的電影。

事先，事先提高磁控陰極靶材應(yīng)用率的原理首要依據(jù)改動(dòng)靶面閉合磁場(chǎng)位形，方法上大致分爲(wèi)靜態(tài)方法和靜態(tài)方法。靜態(tài)法與靜態(tài)法均有其優(yōu)點(diǎn)及缺陷，靜態(tài)法對(duì)磁鋼的位形有著較高的要求并且磁鋼位形的改動(dòng)而構(gòu)成的磁場(chǎng)的改動(dòng)對(duì)靶材應(yīng)用率的影響需求很多的停止模擬及實(shí)驗(yàn)，可是一旦成功后即可獲得分明的作用;靜態(tài)法就是靜態(tài)的變換靶面磁場(chǎng)的分布，進(jìn)而改動(dòng)靶面等離子體刻蝕區(qū)域，拓展靶材的刻蝕區(qū)域，提高靶材的應(yīng)用率以及鍍膜的平均性，可是這種方法極大的添加了磁控陰極的構(gòu)造以及制造組裝的蕪雜性。