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氟化鋁的揮發(fā)可以分為直接揮發(fā)和間接揮發(fā)兩種。
直接揮發(fā)是指氟化鋁無液相，受熱直接升華我氣體，升華溫度隨著溫度的升高逐漸增大，氟化鋁的沸點溫度大約為1260攝氏度，在此溫度下，發(fā)生劇烈變化，直接揮發(fā)與槽溫和添加方式有關。
間接揮發(fā)是指在電解質體系中，由于電解質的蒸發(fā)，二氧化硅光學鍍膜材料而使氟化鋁的消耗增大，在三元電解質體系下，易生成一些不穩(wěn)定的物質，如單冰晶石等，再由其揮發(fā)或者分解。電解質溫度對電解質蒸發(fā)的影響較大。
鍍膜的方法有很多種。鏡片表面的鍍膜通常是在真空室中的物理蒸發(fā)，即將鍍膜材料在真空環(huán)境中加熱到蒸發(fā)溫度，沉積在鏡片上面的基片上的過程，就像一塊玻璃放在沸水上形成的水滴一樣。
有條件時，機組安裝冷凝機(PLOYCOLD)，除提高機組真空抽速外，還可以幫助基片水汽、油氣去除。
㈣ 提高蒸鍍真空度，對于1米以上的鍍膜機，蒸鍍啟動真空應高于3*10-3Pa，鍍膜機越大，二氧化硅光學鍍膜材料廠家蒸鍍啟動真空更高。
㈤ 有條件時，機組安裝離子源，鍍前轟擊，清潔基片表面，鍍膜過程輔助，有利于膜層的密實牢固。
